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傳統(tǒng)二極管是一個(gè)應(yīng)用非常廣泛的器件。標(biāo)準(zhǔn)硅二極管的正向壓降為0.6V到0.7V，肖特基二極管的正向壓降為0.3V。對(duì)于通常應(yīng)用來說，壓降不是問題，但是在一些低電壓或者對(duì)功率損耗要求比較高的場(chǎng)景下，系統(tǒng)通常不能接受這么大的壓降。而且傳統(tǒng)二極管的反向漏電很大，在某些應(yīng)用中也是不能接受的。因此，誕生了用低導(dǎo)通電阻的MOSFET來模擬二極管單向電流的行為，即理想二極管芯片。爻火也適時(shí)推出了全新的理想二極管芯片YHM2031。YHM2031內(nèi)部集成由VOUT和VIN控制的MOSFET，可以實(shí)現(xiàn)雙向關(guān)斷，導(dǎo)通情況下有最大1A的通流能力。

內(nèi)部框圖

低功耗設(shè)計(jì)

YHM2031充分考慮了低功耗的設(shè)計(jì)。在正向?qū)ㄇ闆r下，IN上消耗的靜態(tài)功耗只有160nA；在反向關(guān)斷的情況下，IN上僅消耗10nA的功耗。如果輸入端接的是電池，這樣的設(shè)計(jì)極大的減小了在不需要它供電的情況下的電池自身耗電。同時(shí)，在反向關(guān)斷的情況下，反向OUT端也僅只有170nA的耗電，這個(gè)電流相當(dāng)于二極管的反向漏電，但是比傳統(tǒng)二極管減小了很多。

控制方式

YHM2031采用調(diào)制方式控制MOSFET的通斷，保證在VIN≤VOUT時(shí)，MOSFET是處于關(guān)閉狀態(tài)。同時(shí)，YHM2031集成了使能控制，EN管腳可以控制YHM2031的通斷。當(dāng)EN使器件斷開后，YHM2031可以阻止雙向的電流流動(dòng)，把IN和OUT端真正隔離開。

性能指標(biāo)

工作電壓范圍：1.65V ~ 5.5V

低靜態(tài)功耗：正向?qū)ǎ?span>160nA IN靜態(tài)功耗。

反向?qū)ǎ?span>10nA IN 靜態(tài)功耗，170nA OUT靜態(tài)功耗。

低導(dǎo)通壓降：18mV @ 200mA；45mV @ 500mA；90mV @ 1A。

可選的output quick discharge功能。

可選的EN極性控制。

過流保護(hù)。

過溫保護(hù)。

封裝：0.67mm×0.75mm WLCSP-4

5-Pin SOT23-5